IRF9952QTRPBF

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Input Capacitance

190pF

Montaj

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Current Continuous Drain Id25

3.5A 2.3A

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

2.3A

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rds On Max

100 mΩ

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2014

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Gate Charge Qg Max Vgs

14nC @ 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

190pF @ 15V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Type

N and P-Channel

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

2W

Yükseklik

1.4986mm

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Parça Durumu

Obsolete

Uzunluk

4.9784mm

Power Max

2W

Fet Feature

Logic Level Gate

Temel Parça No

IRF9952QPBF

Genişlik

3.9878mm

Power Dissipation

2W