IRF9910PBF

Teknik Özellikler

Current Continuous Drain Id25

10A 12A

Montaj

Surface Mount

Rise Time

14ns

Rds On Max Id Vgs

13.4m Ω @ 10A, 10V

Transistor Application

SWITCHING

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

12A

Radyasyon Dayanımı

No

Voltage Rated Dc

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Terminal Sayısı

8

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

900pF @ 10V

Terminal Formu

GULL WING

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Gate Charge Qg Max Vgs

11nC @ 4.5V

Turn Off Delay Time

15 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tube

Reach Svhc

No SVHC

Akım Değeri

10A

Threshold Voltage

2.55V

Vgsth Max Id

2.55V @ 250μA

Yayın Yılı

2004

Nominal Vgs

2.55 V

Seri

HEXFET®

Parça Durumu

Discontinued

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

5mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Element Configuration

Dual

Yükseklik

1.5mm

Max Power Dissipation

2W

Temel Parça No

IRF9910PBF

ECCN Kodu

EAR99