IRF8915TRPBF

Teknik Özellikler

Uzunluk

4.9784mm

Parça Durumu

Active

Max Power Dissipation

2W

Yükseklik

1.4986mm

Turn On Delay Time

6 ns

Element Configuration

Dual

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

3.9878mm

Power Dissipation

2W

ECCN Kodu

EAR99

Temel Parça No

IRF8915PBF

Fet Feature

Logic Level Gate

Fall Time Typ

3.6 ns

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

8.9A

Rise Time

12ns

Montaj

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

18.3m Ω @ 8.9A, 10V

Radyasyon Dayanımı

No

Turn Off Delay Time

7.1 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

7.4nC @ 4.5V

Input Capacitance Ciss Max Vds

540pF @ 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Direnç

18.3MOhm

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Voltage Rated Dc

20V

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2008

Vgsth Max Id

2.5V @ 250μA

Threshold Voltage

2.5V

Akım Değeri

8.9A

Reach Svhc

No SVHC

Number Of Elements

2