IRF8910TRPBF

Teknik Özellikler

Fet Feature

Logic Level Gate

Fall Time Typ

4.1 ns

Dual Supply Voltage

20V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

4mm

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation

2W

Temel Parça No

IRF8910PBF

Yükseklik

1.5mm

Max Power Dissipation

2W

Element Configuration

Dual

Turn On Delay Time

6.2 ns

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Montaj Tipi

Surface Mount

Uzunluk

5mm

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2008

Seri

HEXFET®

Nominal Vgs

2.55 V

Vgsth Max Id

2.55V @ 250μA

Threshold Voltage

2.55V

Akım Değeri

10A

Reach Svhc

No SVHC

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Gate Charge Qg Max Vgs

11nC @ 4.5V

Turn Off Delay Time

9.7 ns

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Direnç

13.4MOhm

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Input Capacitance Ciss Max Vds

960pF @ 10V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Voltage Rated Dc

20V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal

SMD/SMT

Radyasyon Dayanımı

No