IRF8910GPBF

Teknik Özellikler

Input Capacitance

960pF

Current Continuous Drain Id25

10A

Rds On Max Id Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Rise Time

10ns

Montaj

Surface Mount

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Continuous Drain Current Id

10A

Pin Sayısı

8

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gate Charge Qg Max Vgs

11nC @ 4.5V

Turn Off Delay Time

9.7 ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

960pF @ 10V

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Ambalaj

Tube

Number Of Elements

2

Rds On Max

13.4 mΩ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Seri

HEXFET®

Yayın Yılı

2009

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Vgsth Max Id

2.55V @ 250μA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Parça Durumu

Obsolete

Drain To Source Resistance

18.3mOhm

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

2W

Yükseklik

1.4986mm

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Turn On Delay Time

6.2 ns

Element Configuration

Dual

Temel Parça No

IRF8910GPBF

Genişlik

3.9878mm

Power Dissipation

2W

Power Max

2W

Fet Feature

Logic Level Gate