IRF7907TRPBF

Teknik Özellikler

Avalanche Energy Rating Eas

15 mJ

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Montaj Tipi

Surface Mount

Yükseklik

1.4986mm

Max Power Dissipation

2W

Element Configuration

Dual

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

4.9784mm

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Fet Feature

Logic Level Gate

Temel Parça No

IRF7907PBF

Genişlik

3.9878mm

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation

2W

Radyasyon Dayanımı

No

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

16.4m Ω @ 9.1A, 10V

Current Continuous Drain Id25

9.1A 11A

Continuous Drain Current Id

11A

Pin Sayısı

8

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Number Of Elements

2

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yayın Yılı

2008

Seri

HEXFET®

Vgsth Max Id

2.35V @ 25μA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Terminal Sayısı

8

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Gate Charge Qg Max Vgs

10nC @ 4.5V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Gate To Source Voltage Vgs

20V