IRF7904TRPBF

Teknik Özellikler

Vgsth Max Id

2.25V @ 25μA

Yayın Yılı

2006

Seri

HEXFET®

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

2

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Direnç

16.2MOhm

Input Capacitance Ciss Max Vds

910pF @ 15V

Terminal Formu

GULL WING

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Gate Charge Qg Max Vgs

11nC @ 4.5V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Terminal Sayısı

8

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Contact Plating

Tin

Radyasyon Dayanımı

No

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

11A

Current Continuous Drain Id25

7.6A 11A

Montaj

Surface Mount

Rds On Max Id Vgs

16.2m Ω @ 7.6A, 10V

Fet Feature

Logic Level Gate

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Power Max

1.4W 2W

ECCN Kodu

EAR99

Power Dissipation

2W

Kurşunsuz

Lead Free

Genişlik

3.9878mm

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Temel Parça No

IRF7904PBF

Element Configuration

Dual

Yükseklik

1.4986mm

Max Power Dissipation

2W

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Uzunluk

4.9784mm