IRF7507TRPBF

Teknik Özellikler

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Threshold Voltage

700mV

Rds On Max Id Vgs

140m Ω @ 1.7A, 4.5V

Yükseklik

860μm

Input Capacitance Ciss Max Vds

260pF @ 15V

Terminal Formu

GULL WING

Temel Parça No

IRF7507PBF

Kurşunsuz

Lead Free

Additional Feature

ULTRA LOW RESISTANCE

Max Power Dissipation

1.25W

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vgsth Max Id

700mV @ 250μA

Direnç

270mOhm

Pin Sayısı

8

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Power Dissipation

1.25W

Turn Off Delay Time

38 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

8nC @ 4.5V

Yayın Yılı

1998

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

2

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Uzunluk

3mm

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Seri

HEXFET®

Terminal Pozisyonu

DUAL

Nominal Vgs

700 mV

Pulsed Drain Currentmax Idm

19A

Montaj Tipi

Surface Mount