IRF7501TRPBF

Teknik Özellikler

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Rds On Max Id Vgs

135m Ω @ 1.7A, 4.5V

Threshold Voltage

700mV

Yükseklik

860μm

Element Configuration

Dual

Input Capacitance Ciss Max Vds

260pF @ 15V

Akım Değeri

2.4A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Pin Sayısı

8

Direnç

135mOhm

Radyasyon Dayanımı

No

Power Dissipation

1.25W

Rise Time

24ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Temel Parça No

IRF7501PBF

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Formu

GULL WING

Additional Feature

ULTRA LOW RESISTANCE

Max Power Dissipation

1.25W

Vgsth Max Id

700mV @ 250μA

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Uzunluk

3mm

Fall Time Typ

16 ns

Kılıf / Paket

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Seri

HEXFET®

Turn Off Delay Time

15 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

8nC @ 4.5V

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Yayın Yılı

2007

Voltage Rated Dc

20V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Number Of Elements

2

Transistor Application

SWITCHING