IRF7379TRPBF

Teknik Özellikler

Genişlik

3.9878mm

Pulsed Drain Currentmax Idm

46A

Montaj Tipi

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Max Power Dissipation

2.5W

Kurşunsuz

Lead Free

Temel Parça No

IRF7379PBF

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Pozisyonu

DUAL

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Continuous Drain Current Id

5.8A

Parça Durumu

Not For New Designs

Fet Type

N and P-Channel

Fet Feature

Standard

Power Dissipation

2.5W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

8

Current Continuous Drain Id25

5.8A 4.3A

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Sayısı

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Akım Değeri

5.8A

Montaj

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Yayın Yılı

2004

Number Of Elements

2

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drainsource On Resistancemax

0.045Ohm

Gate Charge Qg Max Vgs

25nC @ 10V

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Rds On Max Id Vgs

45m Ω @ 5.8A, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

520pF @ 25V

Seri

HEXFET®

Yükseklik

1.4986mm

Uzunluk

4.9784mm

Drain To Source Breakdown Voltage

30V