IRF7351TRPBF

Teknik Özellikler

Turn Off Delay Time

17 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

36nC @ 10V

Number Of Elements

2

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drain To Source Voltage Vdss

60V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2009

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Uzunluk

4.9784mm

Fall Time Typ

6.7 ns

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

60V

Seri

HEXFET®

Input Capacitance Ciss Max Vds

1330pF @ 30V

Yükseklik

1.4986mm

Element Configuration

Dual

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Rds On Max Id Vgs

17.8m Ω @ 8A, 10V

Temel Parça No

IRF7351PBF

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Formu

GULL WING

Turn On Delay Time

5.1 ns

Vgsth Max Id

4V @ 50μA

JESD-609 Kodu

e3

Max Power Dissipation

2W

Genişlik

3.9878mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Pulsed Drain Currentmax Idm

64A

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Sayısı

8

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

8

Power Dissipation

2W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ