IRF7343QTRPBF

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

36nC @ 10V

Drain To Source Voltage Vdss

55V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2010

Number Of Elements

2

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Uzunluk

4.9784mm

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Ambalaj

Cut Tape (CT)

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Rds On Max Id Vgs

50m Ω @ 4.7A, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

740pF @ 25V

Seri

HEXFET®

Yükseklik

1.4986mm

Temel Parça No

IRF7343QPBF

Genişlik

3.9878mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

Max Power Dissipation

2W

Pin Sayısı

8

Current Continuous Drain Id25

4.7A 3.4A

Radyasyon Dayanımı

No

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Drain Current Id

4.7A

Fet Type

N and P-Channel

Parça Durumu

Obsolete

Fet Feature

Standard

Power Dissipation

2W