IRF7342QTRPBF

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

8

Radyasyon Dayanımı

No

Current Continuous Drain Id25

3.4A

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Feature

Logic Level Gate

Parça Durumu

Obsolete

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Continuous Drain Current Id

-3.4A

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Rise Time

10ns

Power Dissipation

2W

Temel Parça No

IRF7342QPBF

Montaj Tipi

Surface Mount

Genişlik

3.9878mm

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Turn On Delay Time

14 ns

Max Power Dissipation

2W

Fall Time Typ

22 ns

Uzunluk

4.9784mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

ECCN Kodu

EAR99

Fabrika Tedarik Süresi

30 Weeks

Rds On Max Id Vgs

105m Ω @ 3.4A, 10V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Input Capacitance Ciss Max Vds

690pF @ 25V

Seri

HEXFET®

Yükseklik

1.4986mm

Gate Charge Qg Max Vgs

38nC @ 10V

Turn Off Delay Time

43 ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

55V

Yayın Yılı

2014

Montaj

Surface Mount

Number Of Elements

2