IRF7338PBF

Teknik Özellikler

Power Dissipation

2W

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

13ns

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Power Max

2W

Gate To Source Voltage Vgs

8V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Drain Current Id

6.3A

Fet Feature

Logic Level Gate

Parça Durumu

Obsolete

Fet Type

N and P-Channel

Current Continuous Drain Id25

6.3A 3A

Rds On Max

34 mΩ

Drain To Source Resistance

34mOhm

Pin Sayısı

8

Direnç

34mOhm

Vgsth Max Id

1.5V @ 250μA

Max Power Dissipation

2W

Genişlik

4mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

IRF7338PBF

Kurşunsuz

Lead Free

Seri

HEXFET®

Input Capacitance Ciss Max Vds

640pF @ 9V

Yükseklik

1.5mm

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Rds On Max Id Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Ambalaj

Tube

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Uzunluk

5mm

Fall Time Typ

25 ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

12V

Number Of Elements

2

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

12V

Akım Değeri

6.3A

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2004

Input Capacitance

640pF