IRF7314QTRPBF

Teknik Özellikler

Tedarikçi Cihaz Paketi

8-SO

Power Max

2.4W

Power Dissipation

2.4W

Rise Time

26ns

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Continuous Drain Current Id

-5.2A

Fet Feature

Logic Level Gate

Parça Durumu

Obsolete

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Gate To Source Voltage Vgs

12V

Rds On Max

58 mΩ

Radyasyon Dayanımı

No

Current Continuous Drain Id25

5.2A

Pin Sayısı

8

Drain To Source Resistance

98mOhm

Max Power Dissipation

2.4W

Turn On Delay Time

18 ns

Vgsth Max Id

700mV @ 250μA

Genişlik

3.9878mm

Montaj Tipi

Surface Mount

Temel Parça No

IRF7314QPBF

Yükseklik

1.4986mm

Input Capacitance Ciss Max Vds

913pF @ 15V

Seri

HEXFET®

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Rds On Max Id Vgs

58mOhm @ 5.2A, 4.5V

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Uzunluk

4.9784mm

Fall Time Typ

38 ns

Number Of Elements

2

Montaj

Surface Mount

Yayın Yılı

2010

Drain To Source Voltage Vdss

20V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Turn Off Delay Time

41 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

29nC @ 4.5V

Input Capacitance

913pF