IRF7311TRPBF

Teknik Özellikler

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Akım Değeri

6.6A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Ciss Max Vds

900pF @ 15V

Element Configuration

Dual

Yükseklik

1.4986mm

Threshold Voltage

700mV

Rds On Max Id Vgs

29m Ω @ 6A, 4.5V

Terminal Formu

GULL WING

Temel Parça No

IRF7311PBF

Kurşunsuz

Lead Free

Vgsth Max Id

700mV @ 250μA

Max Power Dissipation

2W

Additional Feature

AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE

Radyasyon Dayanımı

No

Direnç

29mOhm

Pin Sayısı

8

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Rise Time

17ns

Power Dissipation

2W

Turn Off Delay Time

38 ns

Gate Charge Qg Max Vgs

27nC @ 4.5V

Number Of Elements

2

Avalanche Energy Rating Eas

100 mJ

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Voltage Rated Dc

20V

Yayın Yılı

2004

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Montaj

Surface Mount

Fall Time Typ

31 ns

Uzunluk

4.9784mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Seri

HEXFET®

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)