IRF7303QTRPBF

Teknik Özellikler

Gate Charge Qg Max Vgs

25nC @ 10V

Turn Off Delay Time

22 ns

Yayın Yılı

2010

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Number Of Elements

2

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Fall Time Typ

7.7 ns

Uzunluk

4.9784mm

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Rds On Max Id Vgs

50m Ω @ 2.4A, 10V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Yükseklik

1.4986mm

Seri

HEXFET®

Input Capacitance Ciss Max Vds

520pF @ 25V

Temel Parça No

IRF7303QPBF

Montaj Tipi

Surface Mount

Genişlik

3.9878mm

Max Power Dissipation

2W

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Turn On Delay Time

6.8 ns

Pin Sayısı

8

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Parça Durumu

Obsolete

Fet Feature

Standard

Continuous Drain Current Id

4.9A

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Rise Time

21ns

Power Dissipation

2W