IRF5852TR

Teknik Özellikler

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Contains Lead

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Input Capacitance Ciss Max Vds

400pF @ 15V

Voltage Rated Dc

20V

Fet Feature

Logic Level Gate

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Rise Time

1.2ns

Pin Sayısı

6

Current Continuous Drain Id25

2.7A

Rds On Max

90 mΩ

Montaj Tipi

Surface Mount

Vgsth Max Id

1.25V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Seri

HEXFET®

Drain To Source Breakdown Voltage

20V

Max Power Dissipation

960mW

Yayın Yılı

2003

Continuous Drain Current Id

2.7A

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Tedarikçi Cihaz Paketi

6-TSOP

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Gate Charge Qg Max Vgs

6nC @ 4.5V

Rds On Max Id Vgs

90mOhm @ 2.7A, 4.5V

Input Capacitance

400pF

Akım Değeri

2.7A

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Power Max

960mW

Fet Type

2 N-Channel (Dual)