IRF5810TR

Teknik Özellikler

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Tedarikçi Cihaz Paketi

6-TSOP

Kılıf / Paket

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Gate Charge Qg Max Vgs

9.6nC @ 4.5V

Yayın Yılı

2003

Continuous Drain Current Id

2.9A

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Power Max

960mW

Rds On Max Id Vgs

90mOhm @ 2.9A, 4.5V

Akım Değeri

-2.9A

Input Capacitance

650pF

Voltage Rated Dc

-20V

Fet Feature

Logic Level Gate

Rise Time

14ns

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz

Contains Lead

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Parça Durumu

Obsolete

Input Capacitance Ciss Max Vds

650pF @ 16V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Power Dissipation

960mW

Seri

HEXFET®

Rds On Max

90 mΩ

Montaj Tipi

Surface Mount

Current Continuous Drain Id25

2.9A

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

1.2V @ 250μA