IPG20N10S4L35AATMA1

Teknik Özellikler

Jesd30 Code

R-PDSO-F6

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

8

Yayın Yılı

2013

Number Of Elements

2

Fet Feature

Logic Level Gate

Avalanche Energy Rating Eas

60 mJ

Max Power Dissipation

43W

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

Montaj

Surface Mount

Max Dual Supply Voltage

100V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Case Connection

DRAIN

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Vgsth Max Id

2.1V @ 16μA

Drain To Source Voltage Vdss

100V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Seri

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Terminal Sayısı

6

Halogen Free

Halogen Free

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Terminal Formu

FLAT

Continuous Drain Current Id

20A

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Kurşunsuz

Contains Lead

Montaj Tipi

Surface Mount, Wettable Flank

Rds On Max Id Vgs

35m Ω @ 17A, 10V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Drainsource On Resistancemax

0.035Ohm

Gate Charge Qg Max Vgs

17.4nC @ 10V