IPG20N06S4L14AATMA1

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2013

Pin Sayısı

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Avalanche Energy Rating Eas

90 mJ

Fet Feature

Logic Level Gate

Number Of Elements

2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Max Dual Supply Voltage

60V

Montaj

Surface Mount

ECCN Kodu

EAR99

Max Power Dissipation

50W

Kılıf / Paket

8-PowerVDFN

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

8

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Seri

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Vgsth Max Id

2.2V @ 20μA

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Kurşunsuz Kodu

yes

JESD-609 Kodu

e3

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Halogen Free

Halogen Free

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Continuous Drain Current Id

20A

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Kurşunsuz

Contains Lead

Terminal Formu

FLAT

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Gate Charge Qg Max Vgs

39nC @ 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

2890pF @ 25V

Drainsource On Resistancemax

0.0137Ohm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Fabrika Tedarik Süresi

12 Weeks

Montaj Tipi

Surface Mount, Wettable Flank