IKD04N60RF

Teknik Özellikler

Currentcollector Ic Max

8A

Kurşunsuz Kodu

yes

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge

27nC

Igbt Type

Trench

Td Onoff25c

12ns/116ns

Number Of Elements

1

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipationmax Abs

75W

Yayın Yılı

2012

Temel Parça No

*KD04N60

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Application

POWER CONTROL

Parça Durumu

Obsolete

Power Max

75W

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Current Collector Pulsed Icm

12A

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~175°C TJ

Yüzey Montaj

YES

Switching Energy

110μJ

Seri

TrenchStop®

Terminal Formu

GULL WING

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gateemitter Thr Voltagemax

5.7V

Test Conditions

400V, 4A, 43 Ω, 15V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Turn Off Timenom Toff

216 ns

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Gateemitter Voltagemax

20V

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

600V

Reverse Recovery Time

34ns

RoHS Durumu

RoHS Compliant

REACH Uyumluluk Kodu

compliant

Pin Sayısı

3