IGB03N120H2ATMA1

Teknik Özellikler

Case Connection

COLLECTOR

Switching Energy

290μJ

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Parça Durumu

Last Time Buy

Configuration

SINGLE

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Yüzey Montaj

YES

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Yayın Yılı

2007

Test Conditions

800V, 3A, 82 Ω, 15V

Gate Charge

22nC

Fabrika Tedarik Süresi

17 Weeks

Turn On Time

16.1 ns

Current Collector Pulsed Icm

9.9A

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

4

Vceon Max Vge Ic

2.8V @ 15V, 3A

Qualification Status

Not Qualified

Td Onoff25c

9.2ns/281ns

Giriş Tipi

Standard

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Turn Off Timenom Toff

403 ns

Terminal Sayısı

2

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz Kodu

no

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Application

POWER CONTROL

Currentcollector Ic Max

9.6A

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Power Max

62.5W

Terminal Pozisyonu

SINGLE

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V