IDW80C65D2XKSA1

Teknik Özellikler

Current Reverse Leakage Vr

40μA @ 650V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

650V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Pin Sayısı

3

Diode Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Phases

1

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Max Reverse Voltage Dc

650V

Seri

Rapid 2

Applications

FAST SOFT RECOVERY

Average Rectified Current

40A

Peak Reverse Current

40μA

Reverse Recovery Time

68 ns

JESD-609 Kodu

e3

Voltage Forward Vf Max If

2.2V @ 40A

Kılıf / Paket

TO-247-3

Kurşunsuz Kodu

yes

HTS Kodu

8541.10.00.80

Element Configuration

Common Cathode

Diode Configuration

1 Pair Common Cathode

Montaj Tipi

Through Hole

Yayın Yılı

2013

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Diode Type

Standard

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Power Dissipation Max

180W

Terminal Sayısı

3

Montaj

Through Hole

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Parça Durumu

Active

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

2

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Operating Temperature Junction

-40°C~175°C

Forward Current

80A