IDW16G65C5XKSA1

Teknik Özellikler

Seri

CoolSiC™+

Speed

No Recovery Time > 500mA (Io)

Applications

EFFICIENCY

Kılıf / Paket

TO-247-3

JESD-609 Kodu

e3

Voltage Forward Vf Max If

1.7V @ 16A

Peak Reverse Current

200μA

Reverse Recovery Time

0ns

HTS Kodu

8541.10.00.80

Capacitance Vr F

470pF @ 1V 1MHz

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

650V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Current Reverse Leakage Vr

200μA @ 650V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Number Of Phases

1

Ambalaj

Tube

Parça Durumu

Active

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

94W

Max Surge Current

95A

Kurşunsuz

Lead Free

Forward Current

16A

Operating Temperature Junction

-55°C~175°C

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Case Connection

CATHODE

Peak Nonrepetitive Surge Current

95A

Element Configuration

Single

Diode Type

Silicon Carbide Schottky

Montaj Tipi

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yayın Yılı

2013

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Montaj

Through Hole

Current Average Rectified Io

16A DC