IDP08E65D2XKSA1

Teknik Özellikler

Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm

650V

Peak Reverse Current

2mA

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

2

Operating Temperature Junction

-40°C~175°C

HTS Kodu

8541.10.00.80

Peak Nonrepetitive Surge Current

60A

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

2

Ambalaj

Tube

Yayın Yılı

2013

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Parça Durumu

Active

Max Power Dissipation

56W

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Reverse Recovery Time

30 ns

Maks. Çalışma Sıcaklığı

175°C

Halogen Free

Halogen Free

Recovery Time

58 ns

Max Forward Surge Current Ifsm

100A

Kurşunsuz Kodu

yes

Kılıf / Paket

TO-220-2

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Forward Current

15A

Output Currentmax

16A

Pin Sayısı

3

Max Surge Current

60A

Voltage Forward Vf Max If

2.3V @ 3A

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Reach Svhc

Unknown

Montaj

Through Hole

Number Of Elements

1

Max Reverse Voltage Dc

650V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Diode Element Material

SILICON

Montaj Tipi

Through Hole

Weight

2.299997g

Case Connection

CATHODE