Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Element Material
- SILICON
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Power Max
- 555W
- Parça Durumu
- Active
- Turn Off Timenom Toff
- 490 ns
- Configuration
- 2 Independent
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 1200V
- Element Configuration
- Dual
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kılıf / Paket
- Module
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Input Capacitance Cies Vce
- 630nF @ 25V
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Input
- Standard
- Yayın Yılı
- 2002
- Vceon Max Vge Ic
- 2.15V @ 15V, 100A
- Jesd30 Code
- R-XUFM-X5
- Ntc Thermistor
- No
- Yüzey Montaj
- NO
- Currentcollector Ic Max
- 100A
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Pin Sayısı
- 7
- Turn On Time
- 185 ns
- Igbt Type
- Trench Field Stop
- Halogen Free
- Not Halogen Free
- Current Collector Cutoff Max
- 1mA
- Case Connection
- ISOLATED
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Terminal Sayısı
- 5
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C
- Transistor Application
- POWER CONTROL
- Number Of Elements
- 2
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules