FF100R12RT4HOSA1

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

16 Weeks

Power Max

555W

Parça Durumu

Active

Turn Off Timenom Toff

490 ns

Configuration

2 Independent

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Element Configuration

Dual

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

Module

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Input Capacitance Cies Vce

630nF @ 25V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Input

Standard

Yayın Yılı

2002

Vceon Max Vge Ic

2.15V @ 15V, 100A

Jesd30 Code

R-XUFM-X5

Ntc Thermistor

No

Yüzey Montaj

NO

Currentcollector Ic Max

100A

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Pin Sayısı

7

Turn On Time

185 ns

Igbt Type

Trench Field Stop

Halogen Free

Not Halogen Free

Current Collector Cutoff Max

1mA

Case Connection

ISOLATED

Kurşunsuz Kodu

no

Terminal Sayısı

5

Terminal Pozisyonu

UPPER

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C

Transistor Application

POWER CONTROL

Number Of Elements

2