DF11MR12W1M1B11BOMA1

Teknik Özellikler

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

Number Of Elements

2

Ds Breakdown Voltagemin

1200V

Pulsed Drain Currentmax Idm

100A

Vgsth Max Id

5.5V @ 20mA

Yüzey Montaj

NO

Drain Currentmax Abs Id

55A

Drain To Source Voltage Vdss

1200V 1.2kV

Terminal Sayısı

21

Input Capacitance Ciss Max Vds

3950pF @ 800V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Ambalaj

Tray

Case Connection

ISOLATED

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Obsolete

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Jesd30 Code

R-XUFM-X21

Nem Hassasiyeti (MSL)

Not Applicable

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

Module

Seri

CoolSiC™+

Fet Feature

Silicon Carbide (SiC)

Montaj Tipi

Chassis Mount

Gate Charge Qg Max Vgs

125nC @ 5V

Terminal Pozisyonu

UPPER

Configuration

COMPLEX

Power Max

20mW

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Current Continuous Drain Id25

50A

Yayın Yılı

2008

Rds On Max Id Vgs

23m Ω @ 50A, 15V