BSO612CV

Teknik Özellikler

Montaj

Surface Mount

Fet Type

N and P-Channel

Yayın Yılı

1999

Transistor Element Material

SILICON

Drain To Source Voltage Vdss

60V

Continuous Drain Current Id

2A

Rds On Max Id Vgs

120m Ω @ 3A, 10V

Input Capacitance Ciss Max Vds

340pF @ 25V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Drain To Source Breakdown Voltage

-60V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Number Of Elements

2

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Drain Currentmax Abs Id

3A

JESD-609 Kodu

e0

Fet Feature

Standard

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Current Continuous Drain Id25

3A 2A

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

235

Turn Off Delay Time

145 ns

Rise Time

60ns

Pin Sayısı

8

Drainsource On Resistancemax

0.12Ohm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Vgsth Max Id

4V @ 20μA

Akım Değeri

3A

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation

2W

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Fall Time Typ

95 ns

Seri

SIPMOS®

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Sayısı

8

Max Power Dissipation

2W

Gate Charge Qg Max Vgs

15.5nC @ 10V

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Kurşunsuz

Contains Lead