BSO220N03MDGXUMA1

Teknik Özellikler

Seri

OptiMOS™

Transistor Element Material

SILICON

Qualification Status

Not Qualified

Terminal Sayısı

8

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Parça Durumu

Active

Rds On Max Id Vgs

22m Ω @ 7.7A, 10V

Vgsth Max Id

2.1V @ 250μA

Transistor Application

SWITCHING

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pin Sayısı

8

Montaj Tipi

Surface Mount

Rise Time

2.8ns

Contact Plating

Tin

Pin Sayısı

8

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Number Of Elements

2

Drain To Source Voltage Vdss

30V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation

1.4W

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

ECCN Kodu

EAR99

Fet Feature

Logic Level Gate

Terminal Formu

GULL WING

Yayın Yılı

2009

Ds Breakdown Voltagemin

30V

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

JESD-609 Kodu

e3

Continuous Drain Current Id

6A

Gate Charge Qg Max Vgs

10nC @ 10V

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Input Capacitance Ciss Max Vds

800pF @ 15V

Montaj

Surface Mount

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant