BSM35GD120DN2

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Vcesatmax

3.2 V

Yükseklik

17mm

Montaj

Screw

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Case Connection

ISOLATED

Vceon Max Vge Ic

3.2V @ 15V, 35A

Genişlik

45.5mm

Ntc Thermistor

No

Fabrika Tedarik Süresi

18 Weeks

Yayın Yılı

1999

Input

Standard

Terminal Formu

UNSPECIFIED

ECCN Kodu

EAR99

Kılıf / Paket

Module

Power Dissipation

280W

Max Power Dissipation

280W

Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number Of Elements

6

Gateemitter Voltagemax

20V

Pin Sayısı

17

Max Collector Current

50A

Configuration

Three Phase Inverter

Terminal Pozisyonu

UPPER

Input Capacitance Cies Vce

2nF @ 25V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

1200V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Pin Sayısı

17

Uzunluk

107.5mm

Parça Durumu

Obsolete

Turn On Time

120 ns

Collectoremitter Saturation Voltage

2.7V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Terminal Sayısı

17

Transistor Element Material

SILICON

Turn Off Timenom Toff

450 ns

Igbt Type

NPT