BSD235N L6327

Teknik Özellikler

Yüzey Montaj

YES

REACH Uyumluluk Kodu

compliant

Jesd30 Code

R-PDSO-G6

Rds On Max Id Vgs

350m Ω @ 950mA, 4.5V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

GULL WING

Montaj Tipi

Surface Mount

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Power Dissipationmax Abs

0.5W

Power Max

500mW

Drain To Source Voltage Vdss

20V

Fet Feature

Logic Level Gate

Vgsth Max Id

1.2V @ 1.6μA

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Ds Breakdown Voltagemin

20V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Yayın Yılı

2011

Drainsource On Resistancemax

0.35Ohm

Seri

OptiMOS™

Input Capacitance Ciss Max Vds

63pF @ 10V

Number Of Elements

2

HTS Kodu

8541.21.00.95

RoHS Durumu

RoHS Compliant

ECCN Kodu

EAR99

Pin Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Kılıf / Paket

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Temel Parça No

BSD235

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Sayısı

6

Drain Currentmax Abs Id

0.95A

Gate Charge Qg Max Vgs

0.32nC @ 4.5V

JESD-609 Kodu

e3

Current Continuous Drain Id25

950mA