+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
BFP650E6327HTSA1

Infineon Technologies

BFP650E6327HTSA1

RF BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Transistor Type
NPN
Noise Figure Db Typ F
0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Max Collector Current
150mA
Power Max
500mW
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
110 @ 80mA 3V
Transition Frequency
37000MHz
Montaj Tipi
Surface Mount
Terminal Sayısı
4
Transistor Application
AMPLIFIER
Number Of Elements
1
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Jesd30 Code
R-PDSO-G4
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Terminal Formu
GULL WING
Montaj
Surface Mount
Collectoremitter Breakdown Voltage
4.5V
Additional Feature
HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
Temel Parça No
BFP650
Gain
10.5dB ~ 21.5dB
Transistor Element Material
SILICON GERMANIUM
Max Power Dissipation
500mW
Polaritychannel Type
NPN
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Case Connection
EMITTER
Çalışma Sıcaklığı
150°C TJ
Configuration
SINGLE
Kılıf / Paket
SC-82A, SOT-343
Collectorbase Capacitancemax
0.4pF
Terminal Pozisyonu
DUAL
Yayın Yılı
2011
Parça Durumu
Obsolete
Highest Frequency Band
C B
Frequency Transition
37GHz
Max Breakdown Voltage
4.5V

İlgili Ürünler

  • Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek