BFN27E6327HTSA1

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 30mA 10V

Max Collector Current

200mA

Yayın Yılı

2007

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Polaritychannel Type

PNP

Genişlik

1.3mm

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Voltage Rated Dc

-300V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Terminal Sayısı

3

Collector Base Voltage Vcbo

300V

Montaj

Surface Mount

Contact Plating

Tin

Yükseklik

900μm

Collector Emitter Voltage Vceo

10V

Kurşunsuz Kodu

yes

Akım Değeri

-200mA

Transistor Type

PNP

Parça Durumu

Not For New Designs

Radyasyon Dayanımı

No

Montaj Tipi

Surface Mount

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

360mW

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Uzunluk

2.9mm

Max Breakdown Voltage

300V

ECCN Kodu

EAR99

Transition Frequency

100MHz

Temel Parça No

BFN27

Halogen Free

Not Halogen Free

Collectoremitter Breakdown Voltage

300V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Hfemin

30

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Element Material

SILICON

Collectoremitter Saturation Voltage

500mV