BF1009SE6327HTSA1

Teknik Özellikler

Nominal Gerilim

12V

Yayın Yılı

2007

Terminal Pozisyonu

DUAL

Voltage Test

9V

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Case Connection

SOURCE

Montaj

Surface Mount

Radyasyon Dayanımı

No

Parça Durumu

Obsolete

Configuration

SINGLE

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Type

N-Channel

Terminal Sayısı

4

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Gain

22dB

Akım Değeri

25mA

Kılıf / Paket

TO-253-4, TO-253AA

Frekans

800MHz

Operating Mode

DUAL GATE, DEPLETION MODE

Drain Currentmax Abs Id

0.025A

Transistor Application

AMPLIFIER

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Noise Figure

1.4dB

Continuous Drain Current Id

25mA

Number Of Elements

1

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Max Power Dissipation

200mW

Pin Sayısı

4