BCV28H6327XTSA1

Teknik Özellikler

Emitter Base Voltage Vebo

10V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Transistor Application

AMPLIFIER

Collector Base Voltage Vcbo

40V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collector Emitter Voltage Vceo

1V

Hfemin

4000

Contact Plating

Tin

Collectoremitter Breakdown Voltage

30V

Parça Durumu

Not For New Designs

Montaj

Surface Mount

Transistor Element Material

SILICON

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Seri

Automotive, AEC-Q101

Transition Frequency

200MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 100μA, 100mA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

3

Kılıf / Paket

TO-243AA

Yükseklik

1.5mm

Yayın Yılı

2011

Number Of Elements

1

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Power Dissipation

1W

Terminal Formu

FLAT

Element Configuration

Single

Uzunluk

4.5mm

Max Collector Current

500mA

Transistor Type

PNP - Darlington

Genişlik

2.5mm

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

20000 @ 100mA 5V

Case Connection

COLLECTOR

Pin Sayısı

3

Polarity

PNP

Power Max

1W

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)