Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yayın Yılı
- 2007
- Element Configuration
- Dual
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Pin Sayısı
- 6
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
- Number Of Elements
- 2
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Terminal Formu
- GULL WING
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Kılıf / Paket
- SC-74, SOT-457
- Montaj
- Surface Mount
- JESD-609 Kodu
- e3
- Max Power Dissipation
- 330mW
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Terminal Sayısı
- 6
- Qualification Status
- Not Qualified
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- Max Collector Current
- 500mA
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Resistor Base R1
- 1k Ω
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Frequency Transition
- 100MHz
- Polaritychannel Type
- NPN
- Transition Frequency
- 100MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 50mA 5V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 2.5mA, 50mA
- Transistor Application
- SWITCHING
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Pin Sayısı
- 6
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

