
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Frequency Transition
- 100MHz 200MHz
- Transition Frequency
- 100MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Application
- SWITCHING
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Temel Parça No
- BCR48PN
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Polarity
- NPN, PNP
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
- Pin Sayısı
- 6
- Element Configuration
- Dual
- Yayın Yılı
- 2011
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Number Of Elements
- 2
- Currentcollector Ic Max
- 70mA 100mA
- Terminal Formu
- GULL WING
- Contact Plating
- Tin
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Resistor Base R1
- 47k Ω, 2.2k Ω
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Terminal Sayısı
- 6
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Max Collector Current
- 100mA
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

