
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Frequency Transition
- 150MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Transition Frequency
- 150MHz
- Transistor Application
- SWITCHING
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Polarity
- NPN, PNP
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Temel Parça No
- BCR35PN
- Number Of Elements
- 2
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Yayın Yılı
- 2011
- Element Configuration
- Dual
- Pin Sayısı
- 6
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Terminal Formu
- GULL WING
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Max Collector Current
- 100mA
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Terminal Sayısı
- 6
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Montaj
- Surface Mount
- Max Power Dissipation
- 250mW
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

