
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Formu
- GULL WING
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 300mV
- Number Of Elements
- 2
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Element Configuration
- Dual
- Uzunluk
- 2mm
- Yayın Yılı
- 2011
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Additional Feature
- BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
- Pin Sayısı
- 6
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Terminal Sayısı
- 6
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Max Collector Current
- 100mA
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Montaj
- Surface Mount
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Contact Plating
- Tin
- Genişlik
- 1.25mm
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Transition Frequency
- 150MHz
- Frequency Transition
- 150MHz
- Hfemin
- 70
- Halogen Free
- Halogen Free
- Polarity
- NPN, PNP
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Temel Parça No
- BCR35PN
- Pin Sayısı
- 6
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

