Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Power Max
- 250mW
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Frequency Transition
- 150MHz
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Yayın Yılı
- 2011
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Max Collector Current
- 100mA
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Montaj
- Surface Mount
- Temel Parça No
- BCR35PN
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays