Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Power Max
- 250mW
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Frequency Transition
- 150MHz
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Yayın Yılı
- 2011
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Max Collector Current
- 100mA
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Montaj
- Surface Mount
- Temel Parça No
- BCR35PN
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
İlgili Ürünler
Stokta
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays