Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Power Max
- 250mW
- Transistor Type
- 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Yayın Yılı
- 2011
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- PG-SOT363-6
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Frequency Transition
- 150MHz
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Temel Parça No
- BCR35PN
- Montaj
- Surface Mount
- Resistor Base R1
- 10kOhms
- Parça Durumu
- Obsolete
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Collector Current
- 100mA
- Resistor Emitter Base R2
- 47kOhms
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Montaj Tipi
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays