
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Transistor Application
- SWITCHING
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yükseklik
- 800μm
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Polarity
- PNP
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Frequency Transition
- 190MHz
- Halogen Free
- Halogen Free
- Hfemin
- 70
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Transition Frequency
- 190MHz
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Genişlik
- 1.25mm
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Max Collector Current
- 100mA
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Terminal Sayısı
- 6
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Resistor Base R1
- 47k Ω
- ECCN Kodu
- EAR99
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Montaj
- Surface Mount
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Number Of Elements
- 2
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Yayın Yılı
- 2009
- Uzunluk
- 2mm
- Element Configuration
- Dual
- Pin Sayısı
- 6
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

