Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Yayın Yılı
- 2011
- Power Max
- 250mW
- Resistor Emitter Base R2
- 47kOhms
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Frequency Transition
- 190MHz
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Montaj
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- PG-SOT363-6
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Resistor Base R1
- 47kOhms
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Transistor Type
- 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Max Collector Current
- 100mA
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays