
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pin Sayısı
- 6
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 300mV
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Continuous Collector Current
- 100mA
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Montaj
- Surface Mount
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Genişlik
- 1.25mm
- Yükseklik
- 800μm
- Transistor Type
- 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Halogen Free
- Halogen Free
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Power Dissipation
- 250mW
- Hfemin
- 70
- Yayın Yılı
- 2007
- JESD-609 Kodu
- e3
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Frequency Transition
- 200MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Polarity
- PNP
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Max Collector Current
- 100mA
- Emitter Base Voltage Vebo
- 50V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Uzunluk
- 2mm
- Element Configuration
- Dual
- ECCN Kodu
- EAR99
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

