+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
BCR183SH6433XTMA1

Infineon Technologies

BCR183SH6433XTMA1

BJT Transistors Arrays

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Montaj Tipi
Surface Mount
Terminal Sayısı
6
RoHS Durumu
ROHS3 Compliant
Transistor Type
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor Base R1
10k Ω
Jesd30 Code
R-PDSO-G6
Kılıf / Paket
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Montaj
Surface Mount
Collector Emitter Voltage Vceo
300mV
Resistor Emitter Base R2
10k Ω
Power Max
250mW
Additional Feature
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Transistor Application
SWITCHING
Max Power Dissipation
250mW
Max Collector Current
100mA
Collectoremitter Breakdown Voltage
50V
Configuration
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Vce Saturation Max Ib Ic
300mV @ 500μA, 10mA
Parça Durumu
Not For New Designs
Fabrika Tedarik Süresi
26 Weeks
Terminal Formu
GULL WING
Polaritychannel Type
PNP
Transition Frequency
200MHz
Transistor Element Material
SILICON
Number Of Elements
2
Reference Standard
AEC-Q101
Frequency Transition
200MHz
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
30 @ 5mA 5V
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Yayın Yılı
2011

İlgili Ürünler

  • Aptina

    EMD4DXV6T1G

    BJT Transistors Arrays
  • Aptina

    MUN5111DW1T1G

    BJT Transistors Arrays
  • Aptina

    MUN5114DW1T1G

    BJT Transistors Arrays
  • Aptina

    MUN5116DW1T1G

    BJT Transistors Arrays
  • Aptina

    MUN5211DW1T1G

    BJT Transistors Arrays
  • Aptina

    MUN5213DW1T1G

    BJT Transistors Arrays
  • Aptina

    MUN5214DW1T1G

    BJT Transistors Arrays
  • Aptina

    MUN5232DW1T1G

    BJT Transistors Arrays
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek