
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yayın Yılı
- 2007
- Hfemin
- 30
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 5mA 5V
- Frequency Transition
- 200MHz
- Number Of Elements
- 2
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Polarity
- PNP
- Transition Frequency
- 200MHz
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Terminal Formu
- GULL WING
- ECCN Kodu
- EAR99
- Element Configuration
- Dual
- Uzunluk
- 2mm
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Max Collector Current
- 100mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Transistor Application
- SWITCHING
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 300mV
- Pin Sayısı
- 6
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Resistor Emitter Base R2
- 10k Ω
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Montaj
- Surface Mount
- Yükseklik
- 800μm
- Genişlik
- 1.25mm
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Resistor Base R1
- 10k Ω
- Halogen Free
- Halogen Free
- Terminal Sayısı
- 6
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Contact Plating
- Tin
- Radyasyon Dayanımı
- No
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

