Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Polarity
- PNP
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Element Configuration
- Dual
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- ECCN Kodu
- EAR99
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Max Collector Current
- 100mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Yayın Yılı
- 2007
- JESD-609 Kodu
- e3
- Hfemin
- 120
- Frequency Transition
- 200MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 5mA 5V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Halogen Free
- Halogen Free
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Resistor Base R1
- 4.7k Ω
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Type
- 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Pin Sayısı
- 6
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Montaj
- Surface Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays