
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transition Frequency
- 100MHz
- Polarity
- NPN
- Terminal Formu
- GULL WING
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Uzunluk
- 2mm
- Element Configuration
- Dual
- ECCN Kodu
- EAR99
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Max Collector Current
- 100mA
- Yayın Yılı
- 2009
- JESD-609 Kodu
- e3
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Hfemin
- 70
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 70 @ 5mA 5V
- Frequency Transition
- 100MHz
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Number Of Elements
- 2
- Genişlik
- 1.25mm
- Yükseklik
- 800μm
- Halogen Free
- Halogen Free
- Resistor Base R1
- 47k Ω
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Sayısı
- 6
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Transistor Application
- SWITCHING
- Temel Parça No
- BCR148S
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Pin Sayısı
- 6
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 300mV
- Resistor Emitter Base R2
- 47k Ω
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

