
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Terminal Formu
- GULL WING
- Fabrika Tedarik Süresi
- 26 Weeks
- Polarity
- NPN
- Transition Frequency
- 130MHz
- Max Collector Current
- 100mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 500μA, 10mA
- Element Configuration
- Dual
- Hfemin
- 50
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yayın Yılı
- 2007
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Number Of Elements
- 2
- Reference Standard
- AEC-Q101
- Frequency Transition
- 130MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 5mA 5V
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Terminal Sayısı
- 6
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Type
- 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Resistor Base R1
- 22k Ω
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150°C
- Halogen Free
- Halogen Free
- Pin Sayısı
- 6
- Transistor Application
- SWITCHING
- Temel Parça No
- BCR141S
- Additional Feature
- BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Max Power Dissipation
- 250mW
- Kılıf / Paket
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj
- Surface Mount
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Resistor Emitter Base R2
- 22k Ω
İlgili Ürünler
Aptina
EMD4DXV6T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5111DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5114DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5116DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5211DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5213DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5214DW1T1G
BJT Transistors Arrays
Aptina
MUN5232DW1T1G
BJT Transistors Arrays

